Het monolithische Geheugen van Flashgeheugenic 64KB FM1608-120 Bytewide Fram

FM1608-120 - HET INTERNATIONALE BEDRIJF VAN RAMTRON - HET GEHEUGEN VAN 64KB BYTEWIDE FRAM

Snel Detail:

het Geheugen van 64Kb Bytewide FRAM

Beschrijving:

FM1608 is een 64 kilobit niet-vluchtig geheugen aanwendend een geavanceerd ferroelectric proces. Een ferroelectric random access memory of een FRAM zijn

niet-vluchtig maar werkt in andere opzichten als RAM. Het verstrekt gegevensbehoud 10 jaar terwijl het elimineren van de de betrouwbaarheidszorgen, de functionele nadelen en ingewikkeldheid van het systeemontwerp van batterij-gesteund SRAM. Zijn snel schrijft en schrijft hoog de duurzaamheid het aan andere soorten niet-vluchtig geheugen superieur maakt.

De in-systeemverrichting van FM1608 is zeer gelijkaardig aan andere RAM gebaseerde apparaten. Gelezen het geheugen en writecycles vereist gelijke tijden. Het FRAM-geheugen, echter, is niet-vluchtige toe te schrijven aan zijn uniek ferroelectric geheugenproces. In tegenstelling tot BBSRAM, is FM1608 een echt monolithisch niet-vluchtig geheugen. Het verstrekt dezelfde functionele voordelen van snel zonder de ernstige nadelen verbonden aan modules schrijven en

batterijen of hybride geheugenoplossingen.

Deze mogelijkheden maken het FM1608-ideaal frequent of snel voor niet-vluchtig geheugentoepassingen het vereisen schrijven in een bytewidemilieu. De beschikbaarheid van waar een oppervlakte-onderstel pakket verbetert manufacturability van nieuwe ontwerpen, terwijl het ONDERDOMPELINGSpakket eenvoudig ontwerp retroactief aanpasten vergemakkelijkt. FM1608 biedt gewaarborgde verrichting over een industriële temperatuurwaaier van -40°C aan +85°C. aan.

Toepassingen:

64K beetje Ferroelectric Niet-vluchtig RAM

· Georganiseerd als 8.192 x 8 beetjes

· De hoge duurzaamheid 10 gelezen Miljard (1010)/schrijft

· het behoud van 10 jaargegevens bij 85° C

· NoDelay™ schrijft

· Geavanceerd hoog-betrouwbaarheids ferroelectric proces

Meerdere aan BBSRAM-Modules

· Geen batterijzorgen

· Monolithische betrouwbaarheid

· De ware oppervlakte zet oplossing, geen herwerkingsstappen op

· Meerdere voor vochtigheid, schok, en trilling

· Bestand tegen negatief voltage undershoots

SRAM & EEPROM-Compatibel systeem

· JEDEC 8Kx8 SRAM & EEPROM pinout

· 120 NS-toegangstijd

· 180 NS-cyclusduur

· De gelijkwaardige toegang & de cyclusduur voor lezen en schrijven

Lage Machtsverrichting

· 15 mA actieve stroom

· 20 mA reservestroom

De industrie Standaardconfiguratie

· Industriële temperatuur -40° C aan +85° C

· speld 28 SOPT of DOMPELT onder

Specificaties: