200v n-Kanaalmosfet de Transistoroppervlakte zet IRF640NSTRLPBF op

IRF640NSTRLPBF N-Channel Mosfet de Transistor200v 18A (Tc) 150W (Tc) Oppervlakte zet D2PAK op

? Geavanceerde Procestechnologie?

Dynamische dv/dt-Classificatie? 175°C werkende Temperatuur?

Snelle Omschakeling? Volledig Geschatte Lawine?

Gemak om Te vergelijken?

Eenvoudige Aandrijvingsvereisten

Beschrijving

Vijfde MOSFETs van de Generatiehexfet® Macht van Internationale Gelijkrichter gebruiken geavanceerde verwerkingstechnieken uiterst te bereiken - lage op-weerstand per siliciumgebied. Dit die voordeel, met de snelle omschakelingssnelheid en het ruw gemaakte apparatenontwerp wordt gecombineerd dat HEXFET-Machtsmosfets goed - gekend zijn voor, voorziet de ontwerper van een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen. Pakket aan-220 heeft universeel voor alle commercieel-industriële toepassingen op de niveaus van de machtsdissipatie aan ongeveer 50 watts de voorkeur. De lage thermische weerstand en de lage pakketkosten van aan-220 dragen tot zijn brede goedkeuring door de industrie bij. D2Pak is een oppervlakte opzet machtspakket geschikt om matrijzengrootte tot hexuitdraai-4 aan te passen. Het verstrekt het hoogste machtsvermogen en laagste mogelijke onresistance in om het even welke bestaande oppervlakte zet pakket op. D2Pak is geschikt voor hoge huidige toepassingen wegens zijn lage interne verbindingsweerstand en kan tot 2.0W in een typische oppervlakte verdrijven opzet toepassing. De door-gatenversie (IRF640NL) is beschikbaar voor lowprofile toepassing.

Fabrikant	Infineon Technologies
Reeks	HEXFET®
Verpakking	Band & Spoel (RT)
Deelstatus	Actief
FET Type	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metaaloxide)
Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Vdss)	200V
Huidig - Ononderbroken Afvoerkanaal (Identiteitskaart) @ 25°C	18A (Tc)
Aandrijvingsvoltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs ((Maximum) Th) @ Identiteitskaart	4V @ 250µA
Poortlast ((Maximum) Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
(Maximum) Vgs	±20V
Inputcapacitieve weerstand ((Maximum) Ciss) @ Vds	1160pF @ 25V
FET Eigenschap	-
(Maximum) machtsdissipatie	150W (Tc)
Rds op (Maximum) @ Identiteitskaart, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Werkende Temperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Opzettend Type	De oppervlakte zet op
Het Pakket van het leveranciersapparaat	D2PAK
Pakket/Geval	Aan-263-3, D ² Pak (2 Lood + Lusje), aan-263AB